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　本研究は，ダイヤモンド半導体を用いた革新的パワーデバイスの創製により省エネ・低炭素社会の実現を目指す。具体的には，高効率大電力変換器（ダイヤモンドインバータ）に必要な超低損失・超高電流Schottky-pnダイオードとパワーMOSFETの開発を行う。既に世界に先駆けてダイヤモンドMOSFETの動作実証に成功しており，デバイス性能のさらなる飛躍を狙う。
　それらを達成するために，革新的ダイヤモンドパワーデバイスの研究開発に関して，産官学連携・国際連携を図る。また，新しい概念のパワーデバイスとしてダイヤモンド電子源の開発も行い，ダイヤモンドパワーデバイス開発に必要な超低抵抗n型ダイヤモンドの創製技術確立に向けた研究を行う。

研究目標

• 低抵抗（1Ωcm以下）n型ダイヤモンド層を開発する。
• 1 kV以上の耐圧を有するダイヤモンドSchottky-pnダイオードを開発する。
• 移動度1,000 cm2/Vsを超えるダイヤモンドMOSFETを開発する。
• ダイヤモンド電子源における電子放出機構を解明する。